IRF640 200V 18A N Kanal Power MOSFET TO-220
IRF640, yüksek gerilim ve orta-yüksek akım uygulamaları için tasarlanmış N Kanal Power MOSFET’tir. 200V drenç-kaynak gerilimi ve 18A sürekli akım kapasitesi ile güç elektroniği devrelerinde güvenle kullanılabilir. TO-220 kılıf yapısı sayesinde etkili soğutma sağlar ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir.
Gelişmiş HEXFET® teknolojisi sayesinde düşük RDS(on) değeri, hızlı anahtarlama performansı ve yüksek dayanıklılık sunar. SMPS, motor sürücüleri, inverter devreleri ve güç anahtarlama uygulamaları için ideal bir çözümdür.
Öne Çıkan Özellikler
- 200V yüksek drenç-kaynak gerilimi
- 18A sürekli drenç akımı
- Düşük iletim direnci (RDS(on))
- Hızlı anahtarlama kabiliyeti
- Yüksek güç dağıtımı kapasitesi
- TO-220 kılıf ile kolay soğutma
- Tam avalanche dayanımı
Teknik Özellikler
| Özellik | Değer |
|---|---|
| Ürün Adı | IRF640 |
| MOSFET Tipi | N Kanal Power MOSFET |
| Kılıf Tipi | TO-220 |
| Drenç-Kaynak Gerilimi (VDS) | 200 V |
| Sürekli Drenç Akımı (ID) | 18 A |
| Drain-Source On Direnci (RDS(on)) | 0.15 Ω (@ VGS = 10V) |
| Gate-Source Gerilimi (VGS) | ±20 V |
| Güç Dağıtımı (PD) | 150 W |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ +175°C |
| Montaj Tipi | Through Hole |
Kullanım Alanları
- Güç anahtarlama devreleri
- SMPS (Anahtarlamalı Güç Kaynakları)
- Motor sürücü devreleri
- İnverter ve UPS sistemleri
- Endüstriyel kontrol devreleri
- Yüksek gerilimli anahtarlama uygulamaları
Not: IRF640 MOSFET, yüksek güç uygulamalarında kullanılacağı zaman uygun soğutucu ile birlikte çalıştırılmalıdır. Maksimum performans ve uzun ömür için datasheet değerlerine uygun tasarım yapılması önerilir.
