Popüler Ürünler
Stok Kodu : 266.01.15
IRF9Z24N 55V 12A P Kanal Mosfet TO-220
26,32 TL
IRF9Z24N 55V 12A P Kanal Power MOSFET TO-220
IRF9Z24N, P Kanal yapıya sahip, yüksek akım ve orta seviye gerilim uygulamaları için tasarlanmış bir Power MOSFET entegresidir. TO-220 paket yapısı sayesinde ısı dağılımı verimli olup güç elektroniği devrelerinde güvenle kullanılabilir.
Datasheet’e göre IRF9Z24N MOSFET, −55V Drain-Source gerilimi ve −12A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. Düşük RDS(on) = 0.175Ω değeri sayesinde anahtarlama ve güç kontrol uygulamalarında yüksek verim sunar.
Öne Çıkan Özellikler
- P Kanal HEXFET Power MOSFET yapısı
- −55V Drain-Source gerilim dayanımı
- −12A sürekli drain akımı
- Düşük RDS(on) değeri (0.175Ω)
- Hızlı anahtarlama performansı
- Yüksek sıcaklık dayanımı (175°C)
- TO-220 paket ile kolay soğutma ve montaj
- Endüstriyel ve hobi projeleri için ideal
Teknik Özellikler
| Özellik | Değer |
|---|---|
| Ürün Adı | IRF9Z24N |
| MOSFET Tipi | P Kanal Power MOSFET |
| Paket Tipi | TO-220AB |
| Drain-Source Gerilimi (VDSS) | −55 V |
| Sürekli Drain Akımı (ID) | −12 A |
| Drain-Source Direnci (RDS(on)) | 0.175 Ω @ VGS=−10V |
| Gate-Source Gerilimi (VGS) | ±20 V |
| Maksimum Güç Dağılımı | 45 W |
| Çalışma Sıcaklığı | −55°C ~ +175°C |
| Pin Dizilimi | Gate – Drain – Source |
Kullanım Alanları
- Güç anahtarlama devreleri
- DC motor sürücüleri
- Yüksek akım anahtarlama uygulamaları
- Invertör ve SMPS devreleri
- Endüstriyel kontrol sistemleri
- Arduino ve mikrodenetleyici tabanlı projeler
- Hobi elektroniği ve prototipleme çalışmaları
IRF9Z24N bir P Kanal MOSFET olduğu için, yüksek tarafta (high-side) anahtarlama uygulamalarında sıklıkla tercih edilir. Yüksek akım uygulamalarında uygun soğutucu kullanılması önerilir.
Linkler
Bu ürüne ilk yorumu siz yapın! LÜTFEN Sorularınızı bu alana yazmayınız. Sorularınız için info@elektrovadi.com