IRF630NPBF 200V 9A N Kanal Power MOSFET – TO-220
IRF630NPBF, N kanal yapıya sahip, yüksek gerilimli ve hızlı anahtarlama gerektiren uygulamalar için tasarlanmış bir Power MOSFET entegresidir. 200V drain-source gerilimi ve 9A sürekli akım kapasitesi ile güç elektroniği projelerinde güvenilir bir anahtarlama çözümü sunar.
IRF630NPBF, TO-220 kılıf yapısı sayesinde kolay soğutma imkânı sağlar. Düşük RDS(on) değeri, hızlı anahtarlama kabiliyeti ve tam avalanche dayanımı ile SMPS, inverter, motor sürücü ve endüstriyel güç devrelerinde yaygın olarak tercih edilir.
Öne Çıkan Özellikler
- 200V drain-source gerilimi
- 9A sürekli drain akımı
- N Kanal HEXFET® Power MOSFET
- Düşük RDS(on) değeri (0.30Ω @ VGS=10V)
- Hızlı anahtarlama performansı
- Tam avalanche dayanımı
- 175°C maksimum çalışma sıcaklığı
- TO-220 kılıf ile kolay soğutma
- Kurşunsuz (Pb-Free) yapı
Teknik Özellikler
| Özellik | Değer |
|---|---|
| Ürün Kodu | IRF630NPBF |
| MOSFET Tipi | N Kanal |
| Kılıf Tipi | TO-220 |
| Drain-Source Gerilimi (VDS) | 200 V |
| Sürekli Drain Akımı (ID) | 9 A |
| Drain-Source Direnci (RDS(on)) | 0.30 Ω @ VGS = 10V |
| Gate-Source Gerilimi (VGS) | ±20 V |
| Gate Threshold Gerilimi | 2.0 – 4.0 V |
| Maksimum Güç Dağılımı | 82 W |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ +175°C |
| Montaj Tipi | THT |
| RoHS | Uyumlu (Pb-Free) |
Kullanım Alanları
- SMPS ve güç kaynakları
- DC motor sürücü devreleri
- Inverter ve UPS sistemleri
- Endüstriyel anahtarlama uygulamaları
- Yüksek gerilimli güç devreleri
- Robotik ve otomasyon projeleri
Not: Yüksek akım ve güç uygulamalarında IRF630NPBF kullanılırken uygun soğutucu kullanılması önerilir. Gate sürme devresinin yeterli gerilim ve akım sağlayacak şekilde tasarlanması performansı artıracaktır.
